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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC846AW
BC846AW PDF预览

BC846AW

更新时间： 2024-09-27 08:49:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 585K
描述
NPN General Purpose Transistors

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BC846AW 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：110JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC846AW 数据手册

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M C C  
BC846AW/BW  
BC847AW/BW/CW  
BC848AW/BW/CW  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
NPN  
General Purpose  
Transistors  
•
•
•
Low current (max. 100mA)  
Low voltage (max. 65V)  
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Maximum Ratings  
•
•
•
•
Operating temperature : -65R to +150R  
Storage temperature : -65R to +150R  
Thermal resistance from junction to ambient*: 625K/W  
SOT-323  
A
D
C
Marking: BC846AW---1A ; BC846BW---1B  
BC847AW---1E ; BC847BW---1F ; BC847CW---1G  
BC848AW---1JS/1J ; BC848BW---1KS/1K ; BC848CW---1LS/1L  
C
B
E
B
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
Min  
F
E
Symbol  
Parameter  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Vdc  
H
G
J
BC846AW/BW  
BC847AW/BW/CW  
BC848AW/BW/CW  
---  
---  
---  
80  
50  
30  
K
DIMENSIONS  
INCHES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Vdc  
Vdc  
MM  
BC846AW/BW  
BC847AW/BW/CW  
BC848AW/BW/CW  
---  
---  
---  
65  
45  
30  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
.026 Nominal  
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
MAX  
.087  
.053  
.087  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=1µAdc, IC=0)  
0.65Nominal  
1.20  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
BC846AW/BW, BC847AW/BW/CW  
---  
---  
---  
---  
---  
6
5
100  
200  
200  
F
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
BC848AW/BW/CW  
G
H
J
IC  
ICM  
IBM  
Collector Current (DC)  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
K
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
* Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board  
0.90  
1.90  
0.65  
0.65  
www.mccsemi.com  
Revision: 6  
2008/01/01  
1 of 5  
12345

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与BC846AW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC846AW,115 ETC

获取价格

 		TRANS NPN 65V 0.1A SOT323
BC846AW,135 ETC

获取价格

 		TRANS NPN 65V 0.1A SOT323
BC846AW_06 WEITRON

获取价格

 		General Purpose Transistor
BC846AW_1 PANJIT

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846AW_10 PANJIT

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC846AW_11 MCC

获取价格

 		NPN General Purpose Transistors
BC846AW_17 DIODES

获取价格

 		NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846AW_2 DIODES

获取价格

 		NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC846AW-13 DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC846AW-7 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323

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