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BC846AW

更新时间: 2024-02-16 20:31:26
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
NPN General Purpose Transistor

BC846AW 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-70包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.03Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:3 pF
集电极-发射极最大电压:65 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):110JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

BC846AW 数据手册

 浏览型号BC846AW的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
BC846W,BC847W,BC848W  
Features  
Low current (max. 100 mA).  
Low voltage (max. 65 V).  
1 Emitter  
2 Base  
3 Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
BC846W BC847W BC848W  
Unit  
V
80  
65  
6
50  
45  
30  
30  
5
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
6
V
100  
Collector current  
mA  
mA  
mA  
mW  
200  
Peak collector current  
ICM  
200  
Peak base current  
IBM  
200  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Ptot  
150  
Tj  
-65 to +150  
-65 to +150  
625  
Storage temperature  
Tstg  
Operating ambient temperature  
Thermal resistance from junction to ambient  
Ramb  
Rth j-a  
K/W  
1
www.kexin.com.cn  

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