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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC846ALT1/D
BC846ALT1/D PDF预览

BC846ALT1/D

更新时间： 2024-01-31 20:54:46
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
6页 223K
描述
CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)

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BC846ALT1/D 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：110JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC846ALT1/D 数据手册

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by BC846ALT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
BC846, BC847 and BC848 are  
Motorola Preferred Devices  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
BC847 BC848  
BC850 BC849  
Rating  
Symbol BC846  
Unit  
V
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
V
65  
80  
45  
50  
30  
30  
CEO  
CBO  
EBO  
1
V
2
6.0  
100  
6.0  
100  
5.0  
100  
V
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)  
= 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
T
A
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
556  
°C/W  
JA  
D
P
Alumina Substrate, (2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BC846ALT1 = 1A; BC846BLT1 = 1B; BC847ALT1 = 1E; BC847BLT1 = 1F;  
BC847CLT1 = 1G; BC848ALT1 = 1J; BC848BLT1 = 1K; BC848CLT1 = 1L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage BC846A,B  
V
65  
45  
30  
—
—
—
—
—
—
V
(BR)CEO  
(I = 10 mA)  
BC847A,B,C, BC850A,B,C  
BC848A,B,C, BC849A,B,C  
C
Collector–Emitter Breakdown Voltage BC846A,B  
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 10 µA, V  
C EB  
= 0)  
BC847A,B,C, BC850A,B,C  
BC848A,B,C, BC849A,B,C  
Collector–Base Breakdown Voltage  
BC846A,B  
V
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
(I = 10 A)  
C
BC847A,B,C, BC850A,B,C  
BC848A,B,C, BC849A,B,C  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
BC846A,B  
6.0  
6.0  
5.0  
—
—
—
—
—
—
(I = 1.0 A)  
E
BC847A,B,C  
BC848A,B,C, BC849A,B,C, BC850A,B,C  
Collector Cutoff Current (V  
(V  
= 30 V)  
= 30 V, T = 150°C)  
I
—
—
—
—
15  
5.0  
nA  
µA  
CB  
CB  
CBO  
A
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC846ALT1D ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
BC846ALT1D MOTOROLA

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 		CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)
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