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BC846ALT1 PDF预览

BC846ALT1

更新时间： 2024-09-22 22:39:27
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 181K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC846ALT1 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.25
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：110
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC846ALT1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY,LTD.  
General Purpose Transistors  
NPN Silicon  
BC846ALT1,BLT1  
BC847ALT1,BLT1  
CLT1 thru  
MAXIMUM RATINGS  
BC847  
BC850  
45  
BC848  
BC849  
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
BC846  
65  
Unit  
V
BC850BLT1,CLT1  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
30  
30  
80  
50  
V
Emitter–Base Voltage  
6.0  
6.0  
5.0  
100  
200  
200  
200  
V
3
Collector Current — Continuous  
Collector Current(Peak value)  
Emitter Current(Peak value)  
Base Current(Peak value)  
100  
200  
200  
200  
100  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
I CM  
200  
1
I EM  
200  
I BM  
200  
2
SOLDERING CHARACTERISTICS  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Characteristic  
Symbol  
265  
Unit  
°C  
Solder Heat Resistance  
Solderability  
240 to 265  
°C  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
COLLECTOR  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
PD  
1
BASE  
225  
1.8  
mW  
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
2
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
556  
EMITTER  
Alumina Substrate, (2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
417  
TJ , Tstg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
BC846ALT1 = 1A; BC846BLT1 = 1B; BC847ALT1 = 1E; BC847BLT1 = 1F;  
BC847CLT1 = 1G; BC848ALT1 = 1J; BC848BLT1 = 1K; BC848CLT1 = 1L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = 10 mA)  
BC846A,B  
65  
45  
30  
80  
50  
30  
80  
50  
30  
6.0  
5.0  
5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
BC847A,B,C, BC850B,C  
BC848A,B,C, BC849B,C  
BC846A,B  
V(BR)CEO  
V(BR)CES  
V(BR)CBO  
v
v
v
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = 10 µA, VEB = 0)  
BC847A,B,C, BC850B,C  
BC848A,B,C, BC849B,C  
Collector–Base Breakdown Voltage BC846A,B  
(IC = 10 µA)  
BC847A,B,C, BC850B,C  
BC848A,B,C, BC849B,C  
BC846A,B BC847A,B,C  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(IE = 1.0 µA)  
BC848A,B,C, BC849B,C,  
BC850B,C  
V(BR)EBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB = 30 V)  
(VCB = 30 V, TA = 150°C)  
—
—
15  
nA  
ICBO  
—
5.0  
µA  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
M3–1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC846ALT1/D MOTOROLA

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 		CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)
BC846ALT1D ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
BC846ALT1D MOTOROLA

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 		CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)
BC846ALT1-D MOTOROLA

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 		CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)
BC846ALT1G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
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 		65V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
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 		Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;
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