BC81725MTF

更新时间： 2024-02-23 14:50:13

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	166K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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BC81725MTF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.53	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC81725MTF 数据手册

November 2006

BC817/BC818

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features

•

Switching and Amplifier Applications

Suitable for AF-Driver stages and low power output stages

Complement to BC807/ BC808

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings* T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CBO

Collector-Base Voltage

: BC817

: BC818

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

: BC817

: BC818

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

800

°C

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

310

T_J

150

T_STG

-65 ~ 150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Electrical Characteristics* T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

BV_CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C=10mA, I_B=0

: BC817

: BC818

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C=0.1mA, V_BE=0

: BC817

: BC818

BV_EBO

I_CES

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

I_E=0.1mA, I_C=0

V_CE=25V, V_BE=0

V_EB=4V, I_C=0

100

630

I_EBO

h_FE1

h_FE2

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=1V, I_C=300mA

100

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=1V, I_C=300mA

0.7

1.2

Current Gain Bandwidth Product

V_CE=5V, I_C=10mA

f=50MHz

100

MHz

C_ob

Output Capacitance

V_CB=10V, f=1MHz

* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%

BC817/BC818 Rev. B

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC817-16LT3G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors
MMBT6429LT1G	ONSEMI	功能相似	Amplifier Transistors NPN Silicon
BC817-16LT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors(NPN Silicon)

与BC81725MTF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC81725MTF_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR
BC817-25Q	DIODES	获取价格	NPN, 45V, 0.5A, SOT23
BC817-25Q	YANGJIE	获取价格	SOT-23
BC817-25-Q	NEXPERIA	获取价格	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistorsProduction
BC817-25Q-7-F	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817-25QA	NXP	获取价格	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
BC817-25QA	NEXPERIA	获取价格	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistorsProduction
BC817-25QAZ	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.5A DFN1010D-3
BC817-25QBH-Q	NEXPERIA	获取价格	BC817QBH-Q seriesProduction
BC817-25QB-Q	NEXPERIA	获取价格	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistorsProduction

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