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BC817-40

更新时间： 2024-11-30 14:49:47
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鲁光 - LGE 双极型晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 2554K
描述
双极型晶体管

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BC817-40 技术参数

极性：NPNCollector-emitter breakdown voltage：45
Collector Current - Continuous：0.5DC current gain - Min：250
DC current gain - Max：600Transition frequency：100
Package：SOT-23Storage Temperature Range：-55-150
class：Transistors

BC817-40 数据手册

 浏览型号BC817-40的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC817-40的Datasheet PDF文件第3页 
BC817-16/-25/-40  
NPN General Purpose Amplifier  
FEATURES  
1. BASE  
z
For general AF application.  
A
SOT-23  
Min  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
Dim  
A
Max  
3.10  
1.50  
z
Complementary PNP type available  
BC807.  
2.70  
E
B
1.10  
K
B
z
z
High collector current, high current gain.  
Low collector-emitter saturation voltage.  
C
D
E
1.0 Typical  
0.4 Typical  
0.35  
0.48  
2.00  
0.1  
J
D
G
H
J
1.80  
0.02  
ORDERING INFORMATION  
G
0.1 Typical  
Type No.  
Marking  
Package Code  
H
K
2.20  
2.60  
C
BC817-16  
BC817-25  
BC817-40  
6A  
6B▪  
6C  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
All Dimensions in mm  
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
V
45  
V
5
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
500  
mA  
mW  
℃
PC  
300  
Junction and Storage Temperature  
Tj,Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test conditions  
IC=10μA IE=0  
IC=10mA IB=0  
IE=10μA IC=0  
VCB=25V IE=0  
VEB=4V IC=0  
MIN  
50  
45  
5
TYP MAX UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
V
V
0.1  
0.1  
μA  
μA  
Emitter cut-off current  
IEBO  
100  
160  
250  
60  
250  
400  
600  
VCE=1V IC=100mA  
VCE=1V IC=300mA  
DC current gain  
hFE  
100  
170  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collecter capacitance  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Cob  
IC=500mA IB=50mA  
IC=500mA IB=50mA  
VCB=10V,f=1MHz  
0.7  
1.2  
V
V
6
pF  
VCE=5V IC=50mA  
f=100MHz  
Transition frequency  
fT  
170  
MHz  
CLASSIFICATION OF HFE(1)  
Rank  
BC817-16  
100-250  
6A  
BC817-25  
160-400  
6B▪  
BC817-40  
Range  
250-600  
6C  
Marking  
http://www.lgesemi.com  
mail:lge@lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
123

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与BC817-40相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC817-40,215 NXP

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 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817-40,235 NXP

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 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817-40.215 NXP

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 		NPN general-purpose transistors.
BC817-40/E8 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
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