BC808-25W

更新时间： 2024-01-21 03:22:05

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管放大器
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描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC808-25W 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.54
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	10 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

BC808-25W 数据手册

BC 807W / BC 808W

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

225 mW

SOT-323

±0.1

Plastic case

0.3

Kunststoffgehäuse

Type

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 807W

BC 808W

25 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

B open

B shorted - V_CES

E open

C open

- V_CE0

45 V

50 V

30 V

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

5 V

225 mW ¹)

500 mA

1000 mA

200 mA

1000 mA

150ꢀC

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_C

- I_CM

- I_BM

I_EM

T_j

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 1 V, - I_C= 100 mA

- V_CE= 1 V, - I_C= 500 mA

h_FE

100

–

600

–

BC807W

BC808W

Group -16W h_FE

Group -25W h_FE

Group -40W h_FE

100

160

250

160

250

400

250

400

600

- V_CE= 1 V, - I_C= 100 mA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC808-25W-E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC80825WE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC808-25W-E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC808-25WH6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
BC808-25W-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC808-25WT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC808-25W-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC808-25W-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC80840	FAIRCHILD	获取价格	Switching and Amplifier Applications
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