Datasheet > BC808

BC808

更新时间： 2024-11-19 08:49:39

品牌	Logo	应用领域
SECOS		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	818K
描述
-0.8A , -30V PNP Plastic Encapsulated Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC808 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.09
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC808 数据手册

BC808

-0.8A , -30V

PNP Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURE

SOT-23

ꢀ

Suitable for AF-Driver stages and low power output stages

Complementary to BC818

ꢀ

Top View

C B

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Product-Rank

BC808-16

100~250

BC808-25

BC808-40

250~630

Range

160~400

Marking Code

Millimeter

REF.

Min.

Max.

3.04

2.55

1.40

1.15

2.04

0.50

Min.

0.09

0.45

0.08

Max.

0.18

0.60

0.177

2.80

2.10

1.20

0.89

1.78

0.30

PACKAGE INFORMATION

0.6 REF.

0.89

1.02

Package

MPQ

Leader Size

7 inch

SOT-23

Collector

Base

Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector to Base Voltage

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-30

-25

-5

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction, Storage Temperature

-800

300

°C

P_C

T_J, T_STG

150, -65 ~ 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min.

Typ. Max.

Unit

Test Conditions

I_C= -100µA, I_E=0

Collector to Base Breakdown Voltage

Collector to Emitter Breakdown Voltage

Emitter to Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-30

-25

I_C= -10mA, I_B=0

-5

I_E= -100µA, I_C=0

-0.1

630

µA

V_CB= -25V, I_E=0

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

V_EB= -4V, I_C=0

h_{FE (1)}

h_{FE (2)}

V_CE(sat)

V_BE

100

V_CE= -1V, I_C= -100mA

V_CE= -1V, I_C= -300mA

I_C= -500mA, I_B= -50mA

V_CE= -1V, I_C= -300mA

DC Current Gain

Collector to Emitter Saturation Voltage

Base to Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

-0.7

-1.2

f_T

100

MHz V_CE= -5V, I_C= -10mA, f=50MH

pF CB= -10V, I =0, f=1MH

Collector output capacitance

C_ob

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

15-Jul-2011 Rev. A

Page 1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与BC808相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC808.16	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC808.16BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.16TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.16TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC808.25BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25LT1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors
BC808.25TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.40	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,

与BC808相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC808

BC808 技术参数

BC808 数据手册

与BC808相关器件

与BC808相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC808

BC808 技术参数

BC808 数据手册

与BC808相关器件

与BC808相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？