Datasheet > BC807W

BC807W

更新时间： 2024-01-05 16:58:21

品牌	Logo	应用领域
金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	237K
描述
TRANSISTOR (PNP)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC807W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC807W 数据手册

BC807W

TRANSISTOR (PNP)

BC807-16W

BC807-25W

BC807-40W

SOT-23

FEATURES

1. BASE

·^{Ldeally suited for automatic insertion}

·^{epitaxial planar die construction}

·^{complementary NPN type available(BC817)}

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MARKING: 807-16:5A; 807-25:5B; 807-40:5C

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-45

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.5

0.3

P_C

℃

T_j

150

T_stg

Storage Temperature

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Test conditions

I_C= -10μA, I_E=0

I_C= -10mA, I_B=0

I_E= -1μA, I_C=0

V_CB= -45V, I_E=0

V_CE= -40V, I_B=0

V_EB= -4 V, I_C=0

MIN

-50

-45

-5

MAX UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-0.1

-0.2

-0.1

μA

Collector cut-off current

I_CEO

Emitter cut-off current

DC current gain

I_EBO

807-16

807-25

807-40

100

160

250

400

600

h_FE(1)

V_CE= -1V, I_C= -100mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

_CE(sat)

_BE(sat)

I_C=-500mA, I_B= -50mA

I_C= -500mA, I_B= -50mA

-0.7

-1.2

_CE= -5V, I_C= -10mA

Transition frequency

100

MHz

f_T

f=100MHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

下载PDF

与BC807W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC807W,115	NXP	BC807; BC807W; BC327 - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors SC-70 3-Pin	获取价格
BC807W,135	NXP	BC807; BC807W; BC327 - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors SC-70 3-Pin	获取价格
BC807W/T3	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene	获取价格
BC807W-115	NXP	45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors	获取价格
BC807W-16	DIOTEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO	获取价格
BC807W-25	DIOTEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO	获取价格