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BC807W

更新时间： 2024-01-09 09:19:51

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2页	38K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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BC807W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC807W 数据手册

SEMICONDUCTOR

BC807W

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

· Complementary to BC817W.

DIM MILLIMETERS

2.00 0.20

1.25+0.15

0.90 0.10

0.3+0.10/-0.05

2.10 0.20

0.65

0.15+0.1/-0.06

1.30

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL RATING

UNIT

0.00~0.10

0.70

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-45

0.42

0.10 MIN

-5

Collector Current

-500

500

℃

1. EMITTER

2. BASE

I_E

Emitter Current

3. COLLECTOR

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

100

T_j

150

USM

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

I_EBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

μA

V_CB=-20V, I_E=0

-0.1

630

V_EB=-5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

μA

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=-1V, I_C=-100mA

V_CE=-1V, I_C=-500mA

I_C=-500mA, I_B=-50mA

V_CE=-1V, I_C=-500mA

V_CE=-5V, I_C=-10mA, f=100MHz

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

100

DC Current Gain (Note)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

-0.7

-1.2

f_T

Transition Frequency

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FEClassification 16:100∼ 250 , 25:160∼ 400 , 40:250∼ 630

Marking

MARK SPEC

Lot No.

TYPE.

MARK

BC807W-16

BC807W-25

BC807W-40

Type Name

2008. 9. 2

Revision No : 0

1/2

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与BC807W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC807W,115	NXP	BC807; BC807W; BC327 - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors SC-70 3-Pin	获取价格
BC807W,135	NXP	BC807; BC807W; BC327 - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors SC-70 3-Pin	获取价格
BC807W/T3	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene	获取价格
BC807W-115	NXP	45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors	获取价格
BC807W-16	DIOTEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO	获取价格
BC807W-25	DIOTEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO	获取价格