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BC807/T4

更新时间： 2024-11-20 14:47:59

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
19页	233K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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BC807/T4 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

BC807/T4 数据手册

BC807; BC807W; BC327

45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors

Rev. 06 — 17 November 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP general-purpose transistors.

Table 1. Product overview

Type number

Package

NXP

NPN complement

JEITA

BC807

SOT23

BC817

BC807W

BC327^[1]

SOT323

SOT54 (TO-92)

SC-70

SC-43A

BC817W

BC337

[1] Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see Section 2).

1.2 Features

High current

Low voltage

1.3 Applications

General-purpose switching and amplification

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_CEO

collector-emitter voltage

open base;

I_C= 10 mA

−45

I_C

collector current (DC)

peak collector current

DC current gain

−500 mA

I_CM

h_FE

−1

[1]

I_C= −100 mA;

V_CE= −1 V

BC807; BC807W; BC327

100

160

250

600

250

400

600

BC807-16; BC807-16W; BC327-16

BC807-25; BC807-25W; BC327-25

BC807-40; BC807-40W; BC327-40

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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