BC80725

更新时间： 2024-01-12 23:10:45

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关放大器
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描述
Switching and Amplifier Applications

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BC80725 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz

BC80725 数据手册

BC807/BC808

Switching and Amplifier Applications

•

Suitable for AF-Driver stages and low power output stages

Complement to BC817/BC818

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

CES

: BC807

: BC808

-50

-30

CEO

EBO

: BC807

: BC808

-45

-25

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

-5

-800

°C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

-310

150

-65 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I = -10mA, I =0

CEO

CES

EBO

: BC807

: BC808

-45

-25

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I = -0.1mA, V =0

C BE

: BC807

: BC808

-50

-30

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

I = -0.1mA, I =0

-5

= -25V, V =0

-100

630

CES

EBO

= -4V, I =0

= -1V, I = -100mA

100

FE1

FE2

= -1V, I = -300mA

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I = -500mA, I = -50mA

-0.7

-1.2

= -1V, I = -300mA

Current Gain Bandwidth Product

= -5V, I = -10mA

100

MHz

f=50MHz

Output Capacitance

= -10V, f=1MHz

Rev. A2, August 2002

12 3 4 5 6

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