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BC807

更新时间： 2024-02-18 10:07:40
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威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 231K
描述
Small Signal Transistors (PNP)

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BC807 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC807 数据手册

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BC807, BC808  
Small Signal Transistors (PNP)  
SOT-23  
FEATURES  
♦
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors  
for switching, AF driver and amplifier  
applications.  
.122 (3.1)  
.118 (3.0)  
.016 (0.4)  
Top View  
3
Especially suited for automatic insertion  
in thick- and thin-film circuits.  
♦
♦
These transistors are subdivided into three groups -16,  
-25 and -40 according to their current gain.  
1
2
.037(0.95)  
.037(0.95)  
♦
As complementary types, the NPN transistors BC817  
and BC818 are recommended.  
.102 (2.6)  
.094 (2.4)  
MECHANICAL DATA  
.016 (0.4) .016 (0.4)  
Case: SOT-23 Plastic Package  
Weight: approx. 0.008 g  
Marking code  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Pin configuration  
1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector.  
Type  
Marking  
BC807-16  
-25  
5A  
5B  
5C  
-40  
BC808-16  
-25  
5E  
5F  
5G  
-40  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at  
ambient temperature unless otherwise specified  
25 °C  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
BC807  
BC808  
–V  
–V  
50  
30  
V
V
CES  
CES  
BC807  
BC808  
–V  
–V  
45  
25  
V
V
CEO  
CEO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
–V  
5
V
EBO  
–I  
–I  
–I  
500  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
C
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
Peak Emitter Current  
1000  
200  
CM  
BM  
I
1000  
3101)  
150  
EM  
Power Dissipation at T = 50 °C  
P
tot  
SB  
Junction Temperature  
T
T
j
Storage Temperature Range  
1) Device on fiberglass substrate, see layout  
–65 to +150  
°C  
S
4/98  
12345

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与BC807相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC807 BC808 UTC

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 		PNP
BC807,215 ETC

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 		TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
BC807.16 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA
BC807.16TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.16TR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.25 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA
BC807.25TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.25TR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.40 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA
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