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BC807-40-7

更新时间： 2024-11-26 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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BC807-40-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.13最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：12 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：170
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.31 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

BC807-40-7 数据手册

 浏览型号BC807-40-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC807-40-7的Datasheet PDF文件第3页 
BC807-16/ -25/ -40  
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
SOT-23  
ꢁ
ꢁ
ꢁ
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.85  
0ꢂ  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.80  
8ꢂ  
Epitaxial Planar Die Construction  
For Switching, AF Driver and Amplifier  
Applications  
B
A
ꢁ
Complementary NPN Types Available (BC817)  
C
C
D
Mechanical Data  
B
C
E
ꢁ
ꢁ
Case: SOT-23, Molded Plastic  
TOP VIEW  
E
B
G
H
D
G
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
E
H
J
ꢁ
ꢁ
Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A  
K
K
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
M
L
J
L
D
M
ꢁ
ꢁ
Pin Connections: See Diagram  
a
Marking (See Page 3): BC807-16 5A, K5A  
BC807-25 5B, K5B  
BC807-40 5C,K5C  
All Dimensions in mm  
ꢁ
ꢁ
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Approx. Weight: 0.008 grams  
Maximum Ratings  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-45  
Unit  
V
Emitter-Base Voltage  
-5.0  
V
Collector Current  
-500  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C/W  
°C  
ICM  
Peak Collector Current  
-1000  
-1000  
310  
IEM  
Peak Emitter Current  
Power Dissipation at TSB = 50°C (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Substrate Backside (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Pd  
RꢀJSB  
RꢀJA  
Tj, TSTG  
320  
403  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic (Note 2)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
DC Current Gain  
Current Gain Group -16  
-25  
-40  
Current Gain Group -16  
VCE = 1.0V, IC = 100mA  
100  
160  
250  
60  
250  
400  
600  
—
hFE  
—
—
VCE = 1.0V, IC = 300mA  
-25  
-40  
100  
170  
—
—
IC = 500mA, IB = 50mA  
VCE = 1.0V, IC = 300mA  
VCE = 45V  
VCE(SAT)  
VBE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
—
—
—
—
-0.7  
-1.2  
V
V
-100  
-5.0  
nA  
µA  
ICES  
IEBO  
fT  
Collector-Emitter Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
Gain Bandwidth Product  
—
—
—
—
—
—
V
CE = 25V, Tj = 150°C  
VEB = 4.0V  
CE = 5.0V, IC = 10mA,  
-100  
—
nA  
MHz  
pF  
V
100  
—
f = 50MHz  
VCB = 10V, f = 1.0MHz  
CCBO  
Collector-Base Capacitance  
12  
2
1. Device mounted on ceramic substrate 0.7mm; 2.5cm area.  
Notes:  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
DS11208 Rev. 9 - 2  
1 of 3  
BC807-16/-25/-40  
123

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BC807-40-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC807-40-7-F DIODES

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC807-40-7-F DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN,
BC807-40-7-F BL Galaxy Electrical

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 		PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC807-40-AU PANJIT

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 		SOT-23
BC807-40D87Z FAIRCHILD

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