Datasheet > BC807

BC807

更新时间： 2024-02-11 00:29:49

品牌	Logo	应用领域
TSC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	221K
描述
0.3 Watts, PNP Plastic-Encasulate Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC807 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC807 数据手册

BC807-16/-25/-40

0.3 Watts, PNP Plastic-Encasulate Transistor

Small Signal Product

Features

SOT-23

◇ Ideally suited for automatic insertion

◇ Epitaxial planar die construction

◇ For switching, AF driver and amplifer applications

◇ Complementary NPN type available (BC817)

Mechanical Data

◇ Case : SOT- 23, Molded plastic

◇ Case material : Molded plastic, UL flammability

classification rating 94V-0

◇ Moisture sensitivity : Level 1 per J-STD-020C

◇ Terminals : Solderable per MIL-STD-202, method 208

◇ Lead free plating

◇ Marking : -16: 5A, -25: 5B, -40: 5C

◇ Weight : 0.008grams (approximately)

Ordering Information (example)

Packing code

Part No.

Package

SOT-23

Packing

Packing code

Manufacture code

(Green)

RFG

BC807-16

3K / 7 " Reel

Note : Detail please see "Ordering Information(detail, example)" below.

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Symbol

BC807-16

BC807-25

-50

BC807-40

Units

Parameter

V_CBO

V_CEO

I_C

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Current - Continuous

Power Dissipation

I_C= -10 μA

I_E= 0

I_B= 0

I_C= -10 mA

-45

-0.5

P_D

0.3

V_EBO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

I_E= -1 μA

I_C= 0

I_E= 0

-5

_CB= -45 V

_CB= -40 V

-0.1

μA

Collector Cut-Off Current

I_B= 0

-0.2

Emitter Cut-Off Current

V_EB= -4 V

I_C= 0

-0.1

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= -500 mA

I_C= -10 mA

I_B= 50 mA

f = 100 MHz

-0.7

-1.2

V_CE= -5 V

100

Transition Frequency

Junction Temperature

MHz

°C

T_J

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Symbol

Min

100

160

250

Max

Units

Parameter

250

400

600

807-16

807-25

807-40

V_CE= -1 V

I_C= -100 mA

h_FE(1)

DC Current Gain

Version : E13

12 3

中文翻译

下载PDF

与BC807相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC807 BC808	UTC	获取价格	PNP
BC807,215	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
BC807.16	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC807.16TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.16TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC807.25TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.25TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.40	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC807.40TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

与BC807相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

7
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC807

BC807 技术参数

BC807 数据手册

与BC807相关器件

与BC807相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC807

BC807 技术参数

BC807 数据手册

与BC807相关器件

与BC807相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？