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BC807

更新时间： 2024-02-25 01:44:09
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TYSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 114K
描述
For general AF applications, High collector current

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BC807 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC807 数据手册

  
Product specification  
KC807(BC807)  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
3
Features  
For general AF applications.  
High collector current.  
High current gain.  
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
-0.01  
0.1  
+0.1  
-0.1  
1.9  
Low collector-emitter saturation voltage.  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current (DC)  
power dissipation  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-50  
Unit  
V
-45  
V
-5  
V
-800  
mA  
mW  
PD  
310  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
-65 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
Min  
-50  
-45  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-to-base breakdown voltage  
Collector-to-emitter breakdown voltage  
Emitter-to-base breakdown voltage  
VCBO  
VCEO  
IC = -10 A,VBE = 0  
IC = -10 mA, IB = 0  
V
V
IE = -10 A, IC = 0  
VCB = -25 V, VBE= 0  
VEB = -4 V, IC = 0  
VEBO  
ICES  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
-100  
-100  
630  
nA  
nA  
IEBO  
IC = -100 mA, VCE = -1 V  
100  
60  
DC current gain *  
hFE  
IC = -300 mA, VCE = -1 V  
Collector saturation voltage *  
Base emitter on voltage  
VCE(sat) IC = -500 mA, IB = -50 mA  
VBE(on) VCE=-1V,IC=300mA  
-0.7  
-1.2  
12  
V
V
Output Capacitance  
Transition frequency  
Cob  
fT  
VCB=-10V,f=1MHz  
IC = -10 mA, VCE = -5 V, f = 50 MHz  
pF  
100  
MHz  
* Pulsed: PW  
350 ìs, duty cycle  
2%  
Marking  
NO.  
Marking  
hFE  
KC807-16  
9FA  
KC807-25  
9FB  
KC807-40  
9FC  
100 250  
160 400  
250 630  
http://www.twtysemi.com  
1 of 1  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC807 BC808 UTC

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 		PNP
BC807,215 ETC

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 		TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
BC807.16 ETC

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BC807.16TR CENTRAL

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BC807.16TR13 CENTRAL

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