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BC807

更新时间： 2024-01-06 23:50:32

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High current application

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BC807 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC807 数据手册

BC807

PNP Silicon Transistor

Descriptions

PIN Connection

• High current application

• Switching application

Features

• Suitable for AF-Driver stage and

low power output stages

• Complementary Pair with BC817

SOT-23

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code0

LA □ □

BC807

SOT-23

① ②

③

① Device Code ② hFE Rank ③ Year&Week Code

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-50

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

-35

-5

-800

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

BV_CEO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Emitter

voltage

breakdown

I_C=-1mA, I_B=0

V_CE=-1V, I_C=-300mA

-35

Base-Emitter turn on voltage

Collector-Emitter saturation voltage

Collector cut-off current

DC current gain

V_BE(ON)

V_CE(sat)

I_CBO

-1.2

-700

-100

630

I_C=-500mA, I_B=-50mA

V_CB=-25V, I_E=0

100

V_CE=-1V, I_C=-100mA

h_FE

V_CB=-5V, I_E=10mA

f=100MHz

Transition frequency

f_T

100

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

* : h_FErank / 16(A):100 ~ 250, 25(B):160 ~ 400, 40(C):250 ~ 630

KSD-T5C023-000

12 3 4

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与BC807相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC807 BC808	UTC	获取价格	PNP
BC807,215	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
BC807.16	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC807.16TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.16TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC807.25TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.25TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC807.40	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC807.40TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,