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BC639P PDF预览

BC639P

更新时间： 2024-11-11 20:11:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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BC639P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.4
Base Number Matches：1

BC639P 数据手册

 浏览型号BC639P的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
BC639  
Micro Commercial Components  
Features  
•
x
Complement to BC640  
NPN Epitaxial  
Silicon Transistors  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
x
Marking: BC639  
TO-92  
Maximum Ratings  
A
E
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Value  
80  
100  
5.0  
1.0  
1
-55 to +150  
Unit  
V
V
V
A
B
PC  
TJ  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
W
R
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc,IB=0)  
80  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100IAdc,IE=0)  
100  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100IAdc,IC=0)  
D
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
IAdc  
IAdc  
0.1  
0.1  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
---  
E
C
B
hFE  
(VCE=2Vdc, IC=5mAdc)  
(VCE=2Vdc, IC=150mAdc)  
(VCE=2Vdc, IC=500mAdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc,IB=50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=500mAdc, VCE=2Vdc)  
Transition Frequency  
(VCE=5.0Vdc, IC=50mAdc, f=100MHz)  
25  
40  
25  
---  
---  
---  
---  
160  
---  
---  
---  
---  
G
VCE(sat)  
VBE  
---  
---  
---  
---  
---  
0.5  
1.0  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
fT  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
100  
E
G
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2006/05/26  
1 of 2  
12

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与BC639P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC639RL ONSEMI

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 		TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AA, 3 PIN, BIP Gen
BC639RL MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC639RL1 ONSEMI

获取价格

 		1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
BC639RL1 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC639RL1G ONSEMI

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 		High Current Transistors
BC639RLRA MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC639RLRB MOTOROLA

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 		500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC639RLRE MOTOROLA

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 		暂无描述
BC639RLRF MOTOROLA

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BC639RLRM ONSEMI

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