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BC638RLRA

更新时间： 2024-09-25 20:46:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
23页 325K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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BC638RLRA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.45最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

BC638RLRA 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
2
3
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS  
CASE 29–04, STYLE 14  
TO–92 (TO–226AA)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol BC636 BC638 BC640  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–45  
–45  
–60  
–60  
–80  
–80  
–5.0  
–0.5  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage*  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
V
V
V
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
BC636  
BC638  
BC640  
–45  
–60  
–80  
—
—
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc, I = 0)  
BC636  
BC638  
BC640  
–45  
–60  
–80  
—
—
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
–5.0  
—
—
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –30 Vdc, I = 0)  
—
—
—
—
–100  
–10  
nAdc  
µAdc  
E
= –30 Vdc, I = 0, T = 125°C)  
E
A
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle 2.0%.  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–139  
1234567...23

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与BC638RLRA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC638RLRB MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC638RLRE MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
BC638RLRE ONSEMI

获取价格

 		500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
BC638RLRF MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC638RLRM MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638RLRP MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
BC638T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC638-T/R NXP

获取价格

 		1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
BC638TA ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
BC638TA FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A

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