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BC638 PDF预览

BC638

更新时间： 2024-11-12 22:39:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BC638 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.12
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC638 数据手册

 浏览型号BC638的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC638的Datasheet PDF文件第3页 
BC636/638/640  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS  
· Complement to BC635/637/639  
TO-92  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector Emitter Voltage  
at RBE=1Kohm  
: BC636  
: BC638  
: BC640  
: BC636  
: BC638  
: BC640  
: BC636  
: BC638  
: BC640  
VCER  
-45  
-60  
-100  
-45  
-60  
-100  
-45  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
Collector Emitter Voltage  
Collector Emitter Voltage  
VCES  
VCEO  
-60  
-80  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VEBO  
IC  
ICP  
IB  
PC  
TJ  
-5  
-1  
V
A
A
mA  
W
°C  
°C  
-1.5  
-100  
1
150  
-65 ~ 150  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
BVCEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
: BC636  
IC= -10mA, IB=0  
V
V
V
mA  
mA  
-45  
-60  
-80  
: BC638  
: BC640  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
: BC635  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB= -30V, IE=0  
VEB= -5V, IC=0  
VCE= -2V, IC= -5mA  
VCE= -2V, IC= -150mA  
-0.1  
-0.1  
25  
40  
40  
25  
250  
160  
: BC637/BC639  
VCE= -2V, IC= -500mA  
IC= -500mA, IB= -50mA  
VCE= -2V, IC= -500mA  
V
V
MHz  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
VCE (sat)  
VBE (on)  
fT  
-0.5  
-1  
100  
VCE= -5V, IC= -10mA, f=50MHz  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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BC638 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC33725TA ONSEMI

功能相似

 NPN Bipolar Transistor
BC33725BU ONSEMI

功能相似

 NPN Bipolar Transistor
BC337-40 DIOTEC

功能相似

 Si-Epitaxial PlanarTransistors

与BC638相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC638,112 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC638,116 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC638/D10Z TI

获取价格

 		1500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D11Z TI

获取价格

 		1500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D26Z TI

获取价格

 		1500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D27Z TI

获取价格

 		1500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D28Z TI

获取价格

 		1500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D29Z TI

获取价格

 		1500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D74Z TI

获取价格

 		1500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638/D75Z TI

获取价格

 		1500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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