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BC636-16-BP-HF PDF预览

BC636-16-BP-HF

更新时间： 2024-11-11 21:04:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 397K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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BC636-16-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC636-16-BP-HF 数据手册

 浏览型号BC636-16-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
BC636-10  
BC636-16  
BC638  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
BC640  
Features  
·
·
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Through Hole Package  
PNP Epitaxial  
Silicon Transistors  
Capable of 830mWatts of Power Dissipation  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
·
TO-92  
Maximum Ratings  
A
E
Symbol  
Rating  
Value  
-45  
-60  
-100  
-45  
Unit  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
BC636  
BC638  
BC640  
BC636  
BC638  
BC640  
VCEO  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
B
-60  
-80  
V
V
VEBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5.0  
-1.0  
V
A
IB  
TJ  
Base Current  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-100  
-65 to +150  
-65 to +150  
mA  
℃
℃
TSTG  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc,IB=0)  
BC636  
BC638  
BC640  
-45  
-60  
-80  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
V(BR)CEO  
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5.0Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
D
μAdc  
μAdc  
---  
---  
40  
---  
---  
---  
-0.1  
-0.1  
---  
hFE(1)  
(VCE=-2Vdc, IC=-5mAdc)  
E
E
C
DC Current Gain  
C
B
B
(VCE=-2Vdc, IC=-150mAdc) BC636-10  
16,BC638,BC640  
DC Current Gain  
(VCE=-2Vdc, IC=-500mAdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc,IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-500mAdc, VCE=-2Vdc)  
Transition Frequency  
(VCE=-5.0Vdc, IC=-50mAdc, f=100MHz)  
63  
100  
160  
250  
hFE(2)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
BC636-  
G
25  
---  
DIMENSIONS  
---  
---  
---  
-0.5  
-1.0  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
---  
100  
E
Straight Lead  
Bent Lead  
G
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: C  
2013/01/01  
12

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与BC636-16-BP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC636-16-T/R NXP

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 		TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, SOT-54
BC636-16ZL1 ONSEMI

获取价格

 		High Current Transistors
BC636-AMMO NXP

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 		TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma
BC636-AP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC636-AP-HF MCC

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 		暂无描述
BC636-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC636-BP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC636BU FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO
BC636BU_09 FAIRCHILD

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 		Switching and Amplifier Applications
BC636D26Z FAIRCHILD

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