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BC635D75Z PDF预览

BC635D75Z

更新时间： 2024-11-11 19:25:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 35K
描述
1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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BC635D75Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.16最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC635D75Z 数据手册

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BC635/637/639  
Switching and Amplifier Applications  
•
Complement to BC636/638/640  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage at R =1KΩ  
CER  
BE  
: BC635  
: BC637  
: BC639  
45  
60  
100  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC635  
CES  
CEO  
EBO  
45  
60  
100  
V
V
V
: BC637  
: BC639  
Collector-Emitter Voltage  
: BC635  
45  
60  
80  
V
V
V
: BC637  
: BC639  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
5
V
A
I
I
I
1
1.5  
C
Peak Collector Current  
Base Current  
A
CP  
B
100  
mA  
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
1
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
STG  
• PW=5ms, Duty Cycle=10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =10mA, I =0  
CEO  
C
B
: BC635  
: BC736  
: BC639  
45  
60  
80  
V
V
V
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
V
=30V, I =0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
CBO  
CB  
E
V
=5V, I =0  
C
EBO  
EB  
h
h
DC Current Gain  
: All  
V
V
=2V, I =5mA  
25  
40  
40  
25  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
: BC635  
: BC637/BC639  
: All  
=2V, I =150mA  
250  
160  
C
h
V
=2V, I =500mA  
CE C  
FE3  
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =500mA, I =50mA  
0.5  
1
V
V
CE  
BE  
C
B
V
=2V, I =500mA  
C
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=5V, I =10mA,  
100  
MHz  
T
CE  
C
f=50MHz  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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与BC635D75Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC635J05Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3
BC635J18Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3
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 		500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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BC635RLRA MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC635RLRE MOTOROLA

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 		500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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