BC559XBK

更新时间： 2024-09-18 12:50:11

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General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC559XBK 数据手册

BC556xBK ... BC559xBK

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

PNP

Version 2009-12-07

4.6^±0.1

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

C B E

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Special packaging bulk

Sonder-Lieferform Schüttgut

2 x 1.27

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC556

80 V

BC557

50 V

BC558/559

30 V

Collector-Emitter-voltage

E-B short - V_CES

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EB0

P_tot

65 V

45 V

30 V

Collector-Base-voltage

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

- I_C

- I_CM

- I_BM

I_EM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 µA

h_FE

typ. 90

110 ... 220

typ. 120

typ. 150

200 ... 450

typ. 200

typ. 270

420 ... 800

typ. 400

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

- V_CE= 5 V, - I_C= 100 mA

h-Parameters at/bei - V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

h_fe

h_ie

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

1.6 ... 4.5 kΩ 3.2 ...8.5 kΩ

6 ... 15 kΩ

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_oe

h_re

18 < 30 µS

30 < 60 µS

typ. 2*10-4

60 < 110 µS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

typ. 1.5*10-4

typ. 3*10-4

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC559ZL1	MOTOROLA	获取价格	100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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BC55PA,115	ETC	获取价格	TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT1061
BC55PAS	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction
BC55PAS-Q	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction
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BC560	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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