BC559BBK

更新时间： 2024-11-25 13:05:51

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	89K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC559BBK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

BC559BBK 数据手册

BC 556 ... BC 559

PNP

General Purpose Transistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 556

65 V

80 V

BC 557

45 V

50 V

BC 558/559

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

- I_C

T_j

30 V

5 V

500 mW ¹)

100 mA

150ꢀC

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 55…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

h_FE

110...220

200...460

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Stromverstärkung

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausg.-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢀ

18 < 30 ꢁS

3.2...8.5 kꢀ

30 < 60 ꢁS

6...15 kꢀ

60 < 110 ꢁS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspg.

- I_C= 100 mA, - I_B= 5 mA -V_CEsat

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

300 mV

–

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC559BBU	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC559BD	ZETEX	获取价格	Transistor
BC559B-D11Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
BC559BD26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC559BD27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC559BD74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC559BD75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC559BDWP	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.017 X 0.017 INCH
BC559B-E6	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
BC559B-E7	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

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