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BC558

更新时间： 2024-01-15 16:09:40

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3页	61K
描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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BC558 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC558 数据手册

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

BC 556, A, B

BC 557, 8, A, B, C

TO-92

Boca Semiconductor Corp.

BSC

EBC

http://www.bocasemi.com

APPLICATION

PNP General Purpose Transistors, Especially Suited For Use in Driver Stages of Audio

Amplifier, Low Noise Input Stages of Tape Recorders, HI-FI Amplifiers, Signal Processing

Circuits of Television Receivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

VCEO

VCES

VCBO

VEBO

BC556

BC558

UNITS

BC557

5.0

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter -Base Voltage

Collector Current Continuous

100

Peak

ICM

200

Base Current -Peak

IBM

200

Emitter Current- Peak

IEM

200

Power Dissipation@ Ta=25 degC

Derate Above 25 deg C

Storage Temperature

PTA

500

4.0

-65 to +150

150

mW/deg C

deg C

Tstg

Junction Temperature

THERMAL RESISTANCE

Junction to Ambient

Rth(j-a)

250

deg C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

BC556

>65

>80

BC557

>45

>50

BC558

>30

UNITS

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector-Cut off Current

VCEO

VCBO

VEBO

ICBO

IC=2mA,IB=0

IC=100uA.IE=0

IE=100uA, IC=0 ALL

VCB=30V, IE=0 ALL

>5.0

<15

Tj=150 deg C

<5.0

VCB=30V, IE=0 ALL

VCE=80V, VBE=0

VCE=50V, VBE=0

VCE=30V, VBE=0

ICES

<15

TJ=125 deg C

Collector-Cut off Current

VCE=80V, VBE=0

VCE=50V, VBE=0

VCE=30V, VBE=0

<4.0

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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