BC557B

更新时间： 2024-11-27 22:48:15

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	89K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC557B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	1.54	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

BC557B 数据手册

BC 556 ... BC 559

PNP

General Purpose Transistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 556

65 V

80 V

BC 557

45 V

50 V

BC 558/559

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

- I_C

T_j

30 V

5 V

500 mW ¹)

100 mA

150ꢀC

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 55…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

h_FE

110...220

200...460

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Stromverstärkung

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausg.-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢀ

18 < 30 ꢁS

3.2...8.5 kꢀ

30 < 60 ꢁS

6...15 kꢀ

60 < 110 ꢁS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspg.

- I_C= 100 mA, - I_B= 5 mA -V_CEsat

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

300 mV

–

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

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BC557B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC337-16	FAIRCHILD	类似代替	NPN General Purpose Amplifier
BC556BRL1	ONSEMI	类似代替	Amplifier Transistors

与BC557B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC557-B	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
BC557B(AMMOPAK)	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC557B(BOX)	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC557B,112	NXP	获取价格	BC557B
BC557B,126	NXP	获取价格	BC557B
BC557B/D26Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557B/D27Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557B/D74Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557B/D75Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557B/E6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

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