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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC550C
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BC550C

更新时间： 2024-11-07 06:41:35
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
Low Noise Transistors NPN Silicon

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BC550C 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.84其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz

BC550C 数据手册

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Low Noise Transistors  
NPN Silicon  
BC549B,C  
BC550B,C  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
BC549  
30  
BC550  
45  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
30  
50  
Vdc  
5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
100  
mAdc  
1
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
COLLECTOR  
1
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
JC  
R
83.3  
q
2
BASE  
3
EMITTER  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
V
V
Vdc  
(BR)CEO  
BC549B,C  
BC550B,C  
30  
45  
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
Vdc  
Vdc  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
BC549B,C  
BC550B,C  
30  
50  
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
5.0  
—
—
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 30 V, I = 0)  
I
CBO  
—
—
—
—
15  
5.0  
nAdc  
µAdc  
CB  
E
(V = 30 V, I = 0, T = +125°C)  
CB  
E
A
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
I
—
—
15  
nAdc  
EBO  
EB  
C
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
February, 2001 – Rev. 1  
BC549B/D  
1234

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BC550C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC550CG ONSEMI

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