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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC549BTA
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BC549BTA

更新时间： 2024-09-17 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
NPN外延硅晶体管

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BC549BTA 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.01
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

BC549BTA 数据手册

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by BC546/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC  
BC  
BC  
546  
547  
548  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
45  
30  
80  
50  
30  
Vdc  
6.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mA, I = 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
V
65  
45  
30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
C
BC546  
BC547  
BC548  
V
80  
50  
30  
—
—
—
—
—
—
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
BC546  
BC547  
BC548  
V
6.0  
6.0  
6.0  
—
—
—
—
—
—
(BR)EBO  
(I = 10 A, I = 0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 70 V, V  
= 50 V, V  
= 35 V, V  
= 0)  
= 0)  
= 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
BC546/547/548  
—
—
—
—
0.2  
0.2  
0.2  
—
15  
15  
15  
4.0  
nA  
BE  
BE  
BE  
= 30 V, T = 125°C)  
µA  
A
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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BC549BTA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC548BTA ONSEMI

类似代替

 Transistor NPN Silicon Plastic
BC549BTF ONSEMI

类似代替

 NPN Epitaxial Silicon Transistor, 2000-REEL

与BC549BTA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC549BTF ONSEMI

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, 2000-REEL
BC549BTFR FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC549BZL1 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549C DIOTEC

获取价格

 		Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC549C ONSEMI

获取价格

 		Low Noise Transistors NPN Silicon
BC549C VISHAY

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226A
BC549C NXP

获取价格

 		NPN general purpose transistors
BC549C MOTOROLA

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 		Low Noise Transistors
BC549C INFINEON

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 		NPN Silicon Transistors
BC549C/D26Z TI

获取价格

 		NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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