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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC549
BC549 PDF预览

BC549

更新时间： 2024-09-13 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BC549 数据手册

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BC546/547/548/549/550  
Switching and Applications  
•
•
•
High Voltage: BC546, V  
Low Noise: BC549, BC550  
Complement to BC556 ... BC560  
=65V  
CEO  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : BC546  
80  
50  
30  
V
V
V
CBO  
: BC547/550  
: BC548/549  
Collector-Emitter Voltage : BC546  
65  
45  
30  
V
V
V
CEO  
EBO  
: BC547/550  
: BC548/549  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
: BC546/547  
: BC548/549/550  
6
5
V
V
I
100  
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
15  
Units  
I
V
V
=30V, I =0  
nA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
=5V, I =2mA  
110  
800  
FE  
C
V
V
V
(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage I =10mA, I =0.5mA  
90  
200  
250  
600  
mV  
mV  
CE  
BE  
BE  
C
B
I =100mA, I =5mA  
C
B
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =10mA, I =0.5mA  
700  
900  
mV  
mV  
C
B
I =100mA, I =5mA  
C
B
V
=5V, I =2mA  
580  
660  
700  
720  
mV  
mV  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=5V, I =10mA  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
=5V, I =10mA, f=100MHz  
300  
3.5  
9
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
EB  
CE  
C
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
6
ob  
ib  
E
Input Capacitance  
=0.5V, I =0, f=1MHz  
pF  
C
NF  
Noise Figure  
: BC546/547/548  
: BC549/550  
: BC549  
=5V, I =200µA  
2
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
dB  
C
f=1KHz, R =2KΩ  
1.2  
1.4  
1.4  
G
V
=5V, I =200µA  
CE  
C
: BC550  
R =2KΩ, f=30~15000MHz  
3
G
h
Classification  
FE  
Classification  
A
B
C
h
110 ~ 220  
200 ~ 450  
420 ~ 800  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
1234

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BC549 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC548BU FAIRCHILD

完全替代

 NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO92, JEDEC TO-92 COMPLIANT STRAIGHT LEAD CONFIGURA
ZTX601B DIODES

功能相似

 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ZTX696B DIODES

功能相似

 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

与BC549相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC549/D10Z TI

获取价格

 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549/D11Z TI

获取价格

 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549/D26Z TI

获取价格

 		100mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549/D27Z TI

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 		100mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549/D28Z TI

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 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549/D29Z TI

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 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549/D74Z TI

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BC549/D81Z TI

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 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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