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BC549

更新时间: 2024-11-03 22:48:15
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KEC 晶体放大器晶体管局域网
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1页 123K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER)

BC549 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-92
包装说明:TO-92, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.35
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):110
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.625 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHzBase Number Matches:1

BC549 数据手册

  

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