BC546B

更新时间： 2024-02-20 18:26:54

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	90K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC546B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-92-18R, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	2.5 pF	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

BC546B 数据手册

BC 546 ... BC 549

NPN

General Purpose Transistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 546

65 V

85 V

80 V

6 V

BC 547

45 V

50 V

6 V

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

150ꢀC

BC 548/549

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

B shorted

E open

V_CE0

V_CES

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

30 V

5 V

C open

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 5 V, I_C= 10 ꢀA

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 120

typ. 150

200...450

typ. 200

typ. 270

420...800

typ.400

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverst.

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausgangsleitwert

h_fe

h_ie

h_oe

typ. 220

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

typ. 330

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

typ. 600

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

中文翻译

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BC546B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC546C	DIOTEC	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC548BTA	FAIRCHILD	类似代替	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC546BTA	FAIRCHILD	类似代替	Switching and Applications

与BC546B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC546B,116	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC546B,126	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P
BC546B/D10Z	TI	获取价格	65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/D26Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/D27Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/D74Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/D75Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/E6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 65V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
BC546B/E7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 65V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
BC546B/L34Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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