BC546A

更新时间： 2024-10-31 22:27:23

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	90K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC546A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	1.56	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	110	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

BC546A 数据手册

BC 546 ... BC 549

NPN

General Purpose Transistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 546

65 V

85 V

80 V

6 V

BC 547

45 V

50 V

6 V

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

150ꢀC

BC 548/549

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

B shorted

E open

V_CE0

V_CES

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

30 V

5 V

C open

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 5 V, I_C= 10 ꢀA

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 120

typ. 150

200...450

typ. 200

typ. 270

420...800

typ.400

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverst.

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausgangsleitwert

h_fe

h_ie

h_oe

typ. 220

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

typ. 330

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

typ. 600

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

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BC546A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC546TAR	FAIRCHILD	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC546TA	FAIRCHILD	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC546_J18Z	FAIRCHILD	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

与BC546A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC546-A	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC546A/E6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 65V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
BC546A/E7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 65V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
BC546A_D81Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC546A18	MOTOROLA	获取价格	100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC546A5	MOTOROLA	获取价格	100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC546ABU	ONSEMI	获取价格	Transistor NPN Silicon Plastic
BC546ABU	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC546A-BULK	VISHAY	获取价格	Transistor
BC546AD	ZETEX	获取价格	Transistor

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