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BC546A PDF预览

BC546A

更新时间： 2024-11-22 13:47:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 330K
描述
65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

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BC546A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.14
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：65 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：110
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

BC546A 数据手册

 浏览型号BC546A的Datasheet PDF文件第2页 
BC546,A,B  
BC547,A,B,C  
BC548,A,B,C  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SILICON  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC546, BC547,  
BC548 series devices are silicon NPN small signal  
transistors, manufactured by the epitaxial planar  
process, designed for general purpose amplifier  
applications.  
NPN TRANSISTORS  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-92-18R CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
BC546  
80  
80  
65  
6.0  
BC547  
50  
50  
45  
6.0  
100  
200  
200  
200  
BC548  
30  
30  
30  
5.0  
UNITS  
V
V
V
V
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
V
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
Peak Emitter Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
I
C
I
I
I
CM  
BM  
EM  
P
500  
-65 to +150  
250  
D
T , T  
J
stg  
JA  
JC  
Θ
°C/W  
°C/W  
Θ
150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
15  
5.0  
250  
600  
UNITS  
nA  
μA  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
I
I
V
V
=30V  
=30V, T =150°C  
CBO  
CBO  
CB  
CB  
A
B
B
B
B
C
V
V
V
V
V
V
h
h
h
h
h
h
h
h
h
I =10mA, I =0.5mA  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
FE  
C
I =100mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =0.5mA  
700  
900  
C
I =100mA, I =5.0mA  
C
V
=5.0V, I =2.0mA  
580  
110  
700  
770  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
C
=5.0V, I =10μA (BC546,A, BC547,A, BC548,A)  
90  
150  
270  
C
=5.0V, I =10μA (BC546B, BC547B, BC548B)  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
fe  
C
C
=5.0V, I =10μA (BC547C, BC548C)  
=5.0V, I =2.0mA (BC546)  
450  
220  
450  
800  
800  
900  
C
C
C
C
=5.0V, I =2.0mA (BC546A, BC547A, BC548A) 110  
=5.0V, I =2.0mA (BC546B, BC547B, BC548B) 200  
=5.0V, I =2.0mA (BC547, BC548)  
110  
420  
125  
=5.0V, I =2.0mA (BC547C, BC548C)  
C
=5.0V, I =2.0mA, f=1.0kHz  
C
f
=5.0V, I =10mA, f=35MHz  
300  
2.5  
9.0  
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
NF  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
ob  
ib  
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
=5.0V, I =0.2mA, R =2.0kΩ,  
C G  
B=200Hz, f=1.0kHz  
2.0  
10  
dB  
R1 (13-December 2013)  
12

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与BC546A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC546-A SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC546A/E6 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC546A/E7 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC546A_D81Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC546A18 MOTOROLA

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BC546A5 MOTOROLA

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