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BC516-D27Z

更新时间： 2024-02-20 22:33:41

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	254K
描述
PNP Darlington Transistor

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BC516-D27Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.02	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	30000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BC516-D27Z 数据手册

BC516

PNP Darlington Transistor

Features

• This device is designed for applications reguiring extremely

high current gain at currents to 1 A.

• Sourced from process 61.

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

Ordering Information

Part Number

Top Mark

Package

Packing Method

Tape and Reel

BC516-D27Z

BC516

TO-92 3L

Absolute Maximum Ratings

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-

ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-

tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The

absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at T_A= 25°C unless otherwise noted.

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

-30

-40

-10

Collector Current - Continuous

-1

T_J, T_STGOperating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

September-2017, Rev. 2

Publication Order Number:

BC516-D27Z/D

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BC516D75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC516J05Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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