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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC368RLRB
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BC368RLRB

更新时间： 2024-11-05 12:59:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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BC368RLRB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.69
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：65 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

BC368RLRB 数据手册

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by BC368/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
2
COLLECTOR  
2
3
3
BASE  
BASE  
NPN  
PNP  
1
1
Voltage and current are negative  
for PNP transistors  
EMITTER  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
25  
CES  
EBO  
V
5.0  
1.0  
Collector Current — Continuous  
I
C
1
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
CASE 29–04, STYLE 14  
TO–92 (TO–226AA)  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
20  
25  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 10 mA, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µA, I = 0 )  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µA, I = 0)  
V
5.0  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 25 V, I = 0)  
—
—
—
—
10  
1.0  
µAdc  
mAdc  
E
= 25 V, I = 0, T = 150°C)  
E
J
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 V, I = 0)  
I
—
—
10  
µAdc  
EBO  
EB  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 10 V, I = 5.0 mA)  
= 1.0 V, I = 0.5 A)  
= 1.0 V, I = 1.0 A)  
50  
85  
60  
—
—
—
—
375  
—
C
C
C
Bandwidth Product (I = 10 mA, V  
CE  
= 5.0 V, f = 20 MHz)  
f
65  
—
—
—
—
—
—
MHz  
V
C
T
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 1.0 A, I = 100 mA)  
V
CE(sat)  
0.5  
1.0  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = 1.0 A, V  
CE  
= 1.0 V)  
V
V
C
BE(on)  
Motorola, Inc. 1996
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC368RLRE MOTOROLA

获取价格

 		1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC368RLRF MOTOROLA

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 		1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC368RLRM MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC368RLRP MOTOROLA

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 		1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC368T/R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
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