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BC350

更新时间： 2024-11-29 08:49:23

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	239K
描述
TRANSISTOR (PNP)

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BC350 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

BC350 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

BC350

TRANSISTOR (PNP)

TO— 92

FEATURES

Power dissipation

1.EMITTER

2. BASE

P_CM: 0.3 W（Tamb=25℃）

Collector current

I_CM:

-0.1 A

3. COLLECTOR

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -50 V

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-50

-45

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100μA ， I_E=0

I_C= -1mA, IB=0

(BR)CBO

(BR)CEO

I_E= -100μA， I_C=0

V_CB=-50V, I_E=0

(BR)EBO

I_CBO

-0.1

450

-0.3

-1

μA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=-35V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -3V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-5 V, I_C= -2mA

I_C= -10mA, I_B= -1mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CEsat

V_BEsat

V_CE=-5V,I_C=-10mA,

f=30MHz

Transition frequency

125

MHz

f_T

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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