BC338-16

更新时间： 2024-09-14 22:39:55

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	87K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC338-16 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.75	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC338-16 数据手册

BC 337 / BC 338

NPN

General Purpose Transistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

625 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 337

45 V

50 V

BC 338

25 V

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

5 V

625 mW ¹)

800 mA

150ꢀC

T_j

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 55…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

Group -16

Group -25

Group -40

h_FE

100

160

250

160

250

400

250

400

630

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom

V_CE= 40 V

V_CE= 20 V

V_CE= 40 V, T_j= 125ꢀC

V_CE= 20 V, T_j= 125ꢀC

BC 337

BC 338

BC 337

BC 338

I_CES

–

200 nA

10 ꢀA

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

中文翻译

下载PDF

BC338-16 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC549B	DIOTEC	类似代替	Si-Epitaxial PlanarTransistors
MPS6515	FAIRCHILD	类似代替	NPN General Purpose Amplifier

与BC338-16相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC338-16/E7	VISHAY	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226A
BC338-16-AMMO	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
BC338-16BK	DIOTEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC33816BU	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC33816D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC338-16D26Z	FAIRCHILD	获取价格	800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33816D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC338-16D27Z	FAIRCHILD	获取价格	800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33816D74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC338-16D74Z	FAIRCHILD	获取价格	800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

与BC338-16相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

84
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

78

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC338-16

BC338-16 技术参数

BC338-16 数据手册

BC338-16 替代型号

与BC338-16相关器件

与BC338-16相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC338-16

BC338-16 技术参数

BC338-16 数据手册

BC338-16 替代型号

与BC338-16相关器件

与BC338-16相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？