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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC337A
BC337A PDF预览

BC337A

更新时间： 2024-11-04 04:08:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
NPN Medium Power Transistor

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BC337A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BC337A 数据手册

 浏览型号BC337A的Datasheet PDF文件第2页 
September 2007  
BC337A  
NPN Medium Power Transistor  
•
•
This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 800mA
Sourced from process 38.  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
V
VCES  
VEBO  
IC  
60  
V
5
V
Collector Current (DC)  
800  
mA  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6” X 1.6” X 0.06”.  
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCEO  
BVCES  
BVEBO  
IEBO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Cutoff Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
IC = 10mA  
Min. Typ. Max.  
Units  
V
60  
60  
5
IC = 100μA  
IE = 100μA  
VEB = 5V  
V
V
10  
μA  
VCB = 20V, T = 25 °C  
T = 150 °C  
0.1  
5
ICBO  
hFE  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
μA  
VCE = 1V, IC = 100mA  
VCE = 1V, IC = 500mA  
100  
40  
400  
VCE(sat)  
VBE(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
IC = 500 mA, IB = 50 mA  
VCE = 5V, IC = 2mA  
0.7  
1.2  
V
V
Notes:  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
3.These ratings are based on a maximum junction temperature of 150degrees C.  
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
BC337A Rev. 1.0.0  
1
12

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