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BC337-16BK

更新时间： 2024-11-25 19:45:19

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	89K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC337-16BK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.94	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC337-16BK 数据手册

BC337-xBK / BC338-xBK

General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2010-05-27

4.6^±0.1

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

B E

Special packaging bulk

Sonder-Lieferform Schüttgut

2 x 1.27

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC337

BC338

30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open

V_CES

V_CEO

V_EBO

P_tot

I_C

50 V

45 V

25 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

C open

5 V

625 mW ¹)

800 mA

1 A

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Base current – Basisstrom

I_CM

I_B

100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

Group -16

Group -25

Group -40

h_FE

100

160

250

160

250

400

250

400

630

V_CE= 1 V, I_C= 300 mA

Group -16

Group -25

Group -40

h_FE

100

170

130

200

320

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

–

0.7 V

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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BC337-16BK 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC33725TA	ONSEMI	功能相似	NPN Bipolar Transistor
BC33716BU	FAIRCHILD	功能相似	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33716TA	FAIRCHILD	功能相似	NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A

与BC337-16BK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC337-16-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), NPN,
BC33716BU	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33716BU	ONSEMI	获取价格	NPN Bipolar Transistor
BC33716D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-16D26Z	FAIRCHILD	获取价格	1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33716D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-16D27Z	FAIRCHILD	获取价格	1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33716D74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-16D74Z	FAIRCHILD	获取价格	1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC33716D75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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