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BC337-16_11

更新时间： 2024-09-21 08:49:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 233K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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BC337-16_11 数据手册

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M C C  
BC337-16/25/40  
BC338-16/25/40  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
xꢀ Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.  
xꢀ Collector-current 0.8A  
xꢀ Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
TO-92  
Maximum Ratings  
xꢀ Operating temperature : -55к to +150к  
A
E
xꢀ Storage temperature : -55к to +150к  
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
---  
Vdc  
BC337  
BC338  
45  
25  
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µAdc, IE=0)  
---  
---  
Vdc  
C
BC337  
BC338  
50  
30  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
5.0  
Vdc  
Collector Cutoff Current  
(VCB=45Vdc,IE=0)  
(VCB=25Vdc,IE=0)  
µAdc  
BC337  
BC338  
---  
---  
0.1  
0.1  
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=40Vdc,IB=0)  
(VCE=20Vdc,IB=0)  
µAdc  
µAdc  
BC337  
BC338  
---  
---  
---  
0.2  
0.2  
0.1  
D
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
ON CHARACTERISTICS  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
DC Current Gain  
(IC=300mAdc, VCE=1.0Vdc)  
60  
---  
---  
0.7  
1.2  
--  
C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Vdc  
Vdc  
B
E
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc,IB=50mAdc)  
---  
DIMENSIONS  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current-Gain-Bandwidth Product  
(VCE=5.0V, f=100MHz, IC=10mA)  
210  
---  
MHz  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
.190  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
hFE(1)  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
16  
25  
40  
100~250  
A 011  
160~400  
B 011  
250~630  
C 011  
E
G
Marking Code  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与BC337-16_11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC337-16{AMMOPAK} DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-16{BOX} DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC337-16A1G TSC

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 		NPN Transistor
BC337-16-AMMO NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
BC337-16AMO NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P
BC337-16-AP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), NPN,
BC337-16-B0A1G TSC

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 		NPN Transistor
BC337-16-B0B1G TSC

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 		NPN Transistor
BC337-16B1G TSC

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 		NPN Transistor
BC337-16BK DIOTEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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