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BC327-040G PDF预览

BC327-040G

更新时间： 2024-11-25 04:08:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
Amplifier Transistors

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BC327-040G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.26最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-XBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：260 MHz

BC327-040G 数据手册

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BC327, BC327−16,  
BC327−25, BC327−40  
Amplifier Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
COLLECTOR  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
BASE  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
−45  
Vdc  
CEO  
3
EMITTER  
Collector−Base Voltage  
V
V
−50  
−5.0  
−800  
Vdc  
Vdc  
CES  
Collector−Emitter Voltage  
Collector Current − Continuous  
EBO  
I
mAdc  
C
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
D
Derate above T = 25°C  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
1.5  
12  
W
mW/°C  
A
D
Derate above T = 25°C  
A
TO−92  
CASE 29  
STYLE 17  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
1
1
2
2
3
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
BENT LEAD  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
200  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
83.3  
°C/W  
q
JC  
MARKING DIAGRAM  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
BC  
xx  
AYWW G  
G
BCxx = Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking, and shipping information in  
the package dimensions section on page 4 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
December, 2006 − Rev. 4  
BC327/D  
12345

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BC327-040G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC327-40ZL1 ONSEMI

完全替代

 Amplifier Transistors
BC32740BU FAIRCHILD

类似代替

 PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO92, JEDEC TO-92 COMPLIANT STRAIGHT LEAD CONFIGURA

与BC327-040G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC32716 FAIRCHILD

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BC327-16 INFINEON

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 		PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter
BC327-16 DIOTEC

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 		Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC327-16 MCC

获取价格

 		PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BC327-16 NXP

获取价格

 		PNP general purpose transistor
BC327-16 MOTOROLA

获取价格

 		Amplifier Transistors(PNP)
BC327-16 ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistors(PNP Silicon)
BC327-16 CENTRAL

获取价格

 		45V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/
BC327-16(AMMOPAK) DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC327-16(BOX) DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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