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BC307

更新时间: 2024-02-22 07:01:21
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MICRO-ELECTRONICS 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 229K
描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC307 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):70JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.25 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):130 MHzBase Number Matches:1

BC307 数据手册

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BC307 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPS3906AMO NXP

功能相似

TRANSISTOR 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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