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BC307

更新时间： 2024-02-22 13:55:03

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	146K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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BC307 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

BC307 数据手册

BC307…BC308

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and amplifier applications

1. Collector 2. Base 3. Emitter

TO-92 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

BC307

BC308

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

100

500

P_tot

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_S

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

DC Current Gain

at -V_CE= 5 V, -I_C= 2 mA

Current Gain Group

h_FE

120

180

380

220

460

800

Collector Base Cutoff Current

at -V_CB= 50 V

at -V_CB= 30 V

BC307

BC308

-I_CBO

Collector Emitter Breakdown Voltage

at -I_C= 2 mA

BC307

BC308

-V_(BR)CEO

-V_(BR)EBO

Emitter Base Breakdown Voltage

at -I_E= 100 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 10 mA, -I_B= 0.5 mA

at -I_C= 100 mA, -I_B= 5 mA

-V_CE(sat)

0.3

0.6

Base Emitter On Voltage

at -V_CE= 5 V, -I_C= 2 mA

-V_BE(on)

f_T

0.55

100

0.7

Current Gain Bandwidth Product

at -V_CE= 5 V, -I_C= 10 mA, f = 100 MHz

MHz

Collector Base Capacitance

at -V_CB= 10 V, f = 1 MHz

C_cb

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 27/12/2007

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