生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.56 | 其他特性: | N-F |
构造: | COAXIAL | 最大输入功率 (CW): | 46.99 dBm |
最大插入损耗: | 0.4 dB | 最大工作频率: | 960 MHz |
最小工作频率: | 920 MHz | 最高工作温度: | 55 °C |
最低工作温度: | -10 °C | 射频/微波设备类型: | 3 PORT CIRCULATOR |
最大电压驻波比: | 1.25 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BC307 | MICRO-ELECTRONICS |
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PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | |
BC307 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
BC307 | SEMTECH |
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PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor | |
BC307 | MOTOROLA |
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Amplifier Transistors(PNP) | |
BC307 | ONSEMI |
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Amplifier Transistors(PNP Silicon) | |
BC307 | NXP |
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PNP general purpose transistors | |
BC307 | FAIRCHILD |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
BC307 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER) | |
BC307 | LGE |
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双极型晶体管 | |
BC307 | CJ |
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TO-92 |