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BC182LBD74Z

更新时间： 2024-09-18 15:28:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 28K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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BC182LBD74Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

BC182LBD74Z 数据手册

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BC182LB  
NPN General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for general purpose amplifier application at  
collector currents to 100mA.  
•
Sourced from process 10.  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
V
CEO  
60  
6
CBO  
EBO  
V
I
- Continuous  
100  
mA  
°C  
C
T
T
Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 2mA, I = 0  
50  
60  
6
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 10µA, I = 0  
E
= 100µA, I = 0  
C
I
I
V
V
= 50V, V = 0  
15  
15  
nA  
nA  
CB  
EB  
BE  
Emitter-Base Leakage Current  
= 4V, I = 0  
E
EBO  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 10µA  
40  
80  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 100mA  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 10mA, I = 0.5mA  
0.25  
0.6  
V
CE  
C
C
B
= 100mA, I = 5mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
= 100mA, I = 5mA  
1.2  
0.7  
V
V
BE  
C
B
V
= 5V, I = 2mA  
0.55  
150  
240  
BE  
CE  
C
Dynamic Characteristics  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
V
V
= 5V, I = 10mA, f = 100MHz  
MHz  
pF  
T
CE  
CE  
CE  
CE  
C
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
5
ob  
fe  
C
h
Small Signal Current Gain  
Noise Figure  
= 5V, I = 2mA, f = 1KHz  
500  
10  
C
NF  
= 5V, I = 0.2mA  
dB  
C
R
= 2KΩ, f = 1KHz, BW = 200Hz  
S
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC182LBJ05Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC182LBJ18Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC182LC ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
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