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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC182BRL1G
BC182BRL1G PDF预览

BC182BRL1G

更新时间： 2024-09-24 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
晶体管硅塑料 NPN

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BC182BRL1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.59
其他特性：EUROPEAN PART NUMBER最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz

BC182BRL1G 数据手册

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by BC182/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC BC BC  
182 183 184  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
50  
60  
30  
45  
30  
45  
Vdc  
6.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
357  
125  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mA, I = 0)  
V
V
V
(BR)CEO  
BC182  
BC183  
BC184  
50  
30  
30  
—
—
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 A, I = 0)  
V
(BR)CBO  
BC182  
BC183  
BC184  
60  
45  
45  
—
—
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 A, I = 0)  
V
6.0  
—
—
V
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nA  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 50 V, V  
= 30 V, V  
= 0)  
= 0)  
BC182  
BC183  
BC184  
—
—
—
0.2  
0.2  
0.2  
15  
15  
15  
BE  
BE  
Emitter–Base Leakage Current  
(V = 4.0 V, I = 0)  
I
—
—
15  
nA  
EBO  
EB  
C
Motorola, Inc. 1996  
1234

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BC182BRL1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC182BG ONSEMI

完全替代

 晶体管硅塑料 NPN
BC182BRL1 ONSEMI

完全替代

 晶体管硅塑料 NPN
BC182B ONSEMI

完全替代

 Amplifier Transistor

与BC182BRL1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC182BRLRA ONSEMI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AA, 3 PIN
BC182BRLRB MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC182BRLRE MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC182BRLRM MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182BRLRP MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC182BZL1 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182C MICRO-ELECTRONICS

获取价格

 		Transistor,
BC182C TI

获取价格

 		50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182C/D10Z TI

获取价格

 		50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182C/D26Z TI

获取价格

 		50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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