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BC182_D27Z

更新时间： 2024-02-16 11:31:37

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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BC182_D27Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC182_D27Z 数据手册

BC182

NPN General Purpose Amplifier

•

This device is designed for general purpose amplifier application at

collector currents to 100mA.

•

Sourced from process 10.

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

Absolute Maximum Ratings T_C=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_EBO

I_C

- Continuous

100

°C

T_J,T_STG

Storage Junction Temperature Range

- 55 ~ 150

Electrical Characteristics T_C=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max. Units

Off Characteristics

V_(BR)CEOCollector-Emitter Breakdown Voltage

V_(BR)CBOCollector-Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBOEmitter-Base Breakdown Voltage

I_C= 2mA, I_B= 0

I_C= 10µA, I_E= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CB= 50V, V_BE= 0

V_EB= 4V, I_E= 0

I_CBO

I_EBO

Collector Cut-off Current

Emitter-Base Leakage Current

On Characteristics

h_FEDC Current Gain

V_CE= 5V, I_C= 10µA

120

_CE= 5V, I_C= 2mA

500

_CE= 5V, I_C= 100mA

_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10mA, I_B= 0.5mA

_C= 100mA, I_B= 5mA

0.25

0.6

V_BE(sat)

V_BE(on)

Base-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I_C= 100mA, I_B= 5mA

V_CE= 5V, I_C= 2mA

1.2

0.7

0.55

150

125

Dynamic Characteristics

f_T

Current Gain Bandwidth Product

V_CE= 5V, I_C= 10mA, f = 100MHz

V_CE= 10V, I_C= 0, f = 1MHz

V_CE= 5V, I_C= 2mA, f = 1KHz

V_CE= 5V, I_C= 0.2mA

MHz

C_ob

h_fe

Output Capacitance

Small Signal Current Gain

Noise Figure

500

_S= 2KΩ, f = 1KHz

Rev. A, September 2005

12 3 4

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与BC182_D27Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC182_D74Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
BC182A	MOTOROLA	Amplifier Transistors(NPN)	获取价格
BC182A	ONSEMI	Amplifier Transistor	获取价格
BC182A	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk	获取价格
BC182-A	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92D, 3 PIN	获取价格
BC182AG	ONSEMI	晶体管硅塑料 NPN	获取价格