BC182

更新时间： 2024-02-09 12:53:07

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器晶体管
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4页	115K
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Amplifier Transistor

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BC182 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	1 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

BC182 数据手册

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by BC182/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

BC BC BC

182 183 184

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Unit

Vdc

CASE 29–04, STYLE 17

TO–92 (TO–226AA)

CEO

CBO

EBO

Vdc

6.0

100

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

350

2.8

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.0

8.0

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

357

125

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 2.0 mA, I = 0)

(BR)CEO

BC182

BC183

BC184

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 10 A, I = 0)

(BR)CBO

BC182

BC183

BC184

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 A, I = 0)

6.0

—

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

CBO

= 50 V, V

= 30 V, V

= 0)

BC182

BC183

BC184

—

0.2

Emitter–Base Leakage Current

(V = 4.0 V, I = 0)

—

EBO

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4

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