5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC182
BC182 PDF预览

BC182

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
Amplifier Transistors(NPN)

阅读下载

中文翻译

获取价格

BC182 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：5 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

BC182 数据手册

 浏览型号BC182的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC182的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC182的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by BC182/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC BC BC  
182 183 184  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
50  
60  
30  
45  
30  
45  
Vdc  
6.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
357  
125  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mA, I = 0)  
V
V
V
(BR)CEO  
BC182  
BC183  
BC184  
50  
30  
30  
—
—
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 A, I = 0)  
V
(BR)CBO  
BC182  
BC183  
BC184  
60  
45  
45  
—
—
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 A, I = 0)  
V
6.0  
—
—
V
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nA  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 50 V, V  
= 30 V, V  
= 0)  
= 0)  
BC182  
BC183  
BC184  
—
—
—
0.2  
0.2  
0.2  
15  
15  
15  
BE  
BE  
Emitter–Base Leakage Current  
(V = 4.0 V, I = 0)  
I
—
—
15  
nA  
EBO  
EB  
C
Motorola, Inc. 1996  
1234

中文翻译

下载PDF

BC182 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5087LT1G ONSEMI

功能相似

 Low Noise Transistor
MMBT5087LT3G ONSEMI

功能相似

 Low Noise Transistor
ZTX451 DIODES

功能相似

 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

与BC182相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC182/D ETC

获取价格

 		Amplifier Transistor NPN
BC182/D10Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182/D11Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182/D26Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182/D27Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182/D28Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182/D29Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182/D74Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182/D75Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC182/D81Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

与BC182相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证