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BB804Y212

更新时间: 2024-10-02 03:40:23
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恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
DIODE VHF BAND, 18 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode

BB804Y212 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.07
最小击穿电压:18 V配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最小二极管电容比:1.65二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.02 µA反向测试电压:16 V
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BB804Y212 数据手册

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